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과학 기술: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
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이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 10 mOhm @ 100A |
전력 소비 (최대): | 535W (Tc) |
꾸러미: | SOT-227 |
작동 온도: | -55C ~ 175C (TJ) |
실장 형: | Chassis Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 14400pF @ 800V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 1200V |
: | 160A (Tc) |
Email: | XXX@yjseo.co |