■ Memória ferroelétrica de acesso aleatório de 256 Kbit (F-RAM) organizado logicamente como 32K × 8

❐ Alta resistência 100 trilhões (1014) de leituras / gravações

❐ Retenção de dados de 151 anos (consulte Retenção e durabilidade de dados na página 14)

❐ NoDelay ™ escreve

❐ Processo ferroelétrico avançado de alta confiabilidade

■ Interface periférica serial muito rápida (SPI)

❐ Frequência de até 40 MHz

❐ Substituição direta de hardware para flash serial e EEPROM

❐ Suporta modo SPI 0 (0, 0) e modo 3 (1, 1)

■ Esquema sofisticado de proteção contra gravação

❐ Proteção de hardware usando o pino Write Protect (WP)

❐ Proteção de software usando a instrução Write Disable

❐ Proteção de bloco de software para 1/4, 1/2 ou toda a matriz

■ ID do dispositivo

❐ ID do fabricante e ID do produto

■ Baixo consumo de energia

❐ corrente ativa de 2,5 mA a 40 MHz

❐ 150-A de corrente de espera

❐ 8-A corrente do modo de espera

■ Operação de baixa tensão: VDD = 2,0 V a 3,6 V

■ Temperatura industrial: –40 C a +85 C

■ Pacotes

❐ Pacote de circuito integrado de pequeno contorno (SOIC) de 8 pinos

❐ Pacote de 8 pinos sem condutores duplos planos (DFN)

■ Em conformidade com a restrição de substâncias perigosas (RoHS)

Descrição Funcional

O FM25V02A é uma memória não volátil de 256 Kbit que utiliza um processo ferroelétrico avançado. Um F-RAM é não volátil e executa leituras e gravações semelhantes a uma RAM. Fornece confiável retenção de dados por 151 anos, eliminando as complexidades, sobrecarga e problemas de confiabilidade no nível do sistema causados ​​por flash, EEPROM e outras memórias não voláteis.

Ao contrário do serial flash e EEPROM, o FM25V02A realiza gravação operações na velocidade do ônibus. Não há atrasos na gravação. Dados são escrito na matriz de memória imediatamente após cada byte ser transferido com sucesso para o dispositivo. O próximo ciclo de ônibus pode começar sem a necessidade de pesquisa de dados. Além disso, o produto oferece resistência de gravação substancial em comparação com outros memórias não voláteis. O FM25V02A é capaz de suportar 1.014 ciclos de leitura / gravação ou 100 milhões de vezes mais ciclos de gravação do que EEPROM.

Esses recursos tornam o FM25V02A ideal para sistemas não voláteis aplicativos de memória que requerem gravações frequentes ou rápidas. Os exemplos variam de registro de dados, onde o número de gravações ciclos podem ser críticos, para exigir controles industriais onde o um longo tempo de gravação de flash serial ou EEPROM pode causar perda de dados.

O FM25V02A oferece benefícios substanciais para usuários de EEPROM ou flash como substituição de hardware. o FM25V02A usa o barramento SPI de alta velocidade, o que aprimora o capacidade de gravação em alta velocidade da tecnologia F-RAM. O dispositivo incorpora um ID de dispositivo somente leitura que permite ao host determinar o fabricante, densidade do produto e produto revisão. As especificações do dispositivo são garantidas por um faixa industrial de –40 C a +85 C.

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