1. CARACTERÍSTICAS

• Barramento de bus NAND de 1 Gb / 2 Gb SLC: x4- Tamanho da página: (2048 + 64) byte- Tamanho do bloco: (128K + 4K) byte

• Acesso rápido à leitura - Suporta dados aleatórios lidos pelos modos x1 x2 e x4, (1-1-1,1-1-2, 1-1-4) Nota 2- Latência da matriz a ser registrada: 25usNota1- Frequência: 104MHz

• Página Program Operation- Page program time: 300us (typ) Note1

• Bloco Apagar Operação - Tempo de apagamento do bloco: 1ms (tip.)

• Operação de tensão única: - VCC: 2,7 a 3,6V

• BP bits para proteção de grupos de bloco

• Dissipação de Baixa Potência - Corrente máxima de 30mAActiva (Leitura / Programa / Apagar)

• Modo de espera - 50uA (máx.) Em espera

• Alta Confiabilidade - Programa / Apagar Resistência: Ciclos Típicos de 100K (com ECC interno de 4 bits por (512 + 16) Byte - Retenção de Dados: 10 anos

• Ampla Faixa de Operação de Temperatura-40 ° C a + 85 ° C • Pacote: 1) 8-WSON (8x6mm) para 1Gb2) 16-SOP (300mil) para dispositivos embalados 2GbAll são compatíveis com RoHS e sem halogênio.

2. DESCRIÇÕES GERAIS

O MX35LFxGE4AB é um dispositivo de memória Flash SLC NAND de 1 Gb / 2 Gb com interface Serial. O array de memória deste dispositivo adotou a mesma arquitetura de célula que o NAND paralelo, porém implementando a interface serial padrão da indústria.

Uma lógica ECC interna de 4 bits é implementada no chip, que é ativado por padrão. O ECC interno pode ser desativado ou ativado novamente por comando. Quando a lógica interna de ECC de 4 bits é desativada, o lado do host precisa manipular o ECC de 4 bits pelo microcontrolador do host.