Notícia

Autor: salmão ye
Fonte: www.ic-stocks.com
Lançamento em: 2018-09-07

Renesas RQA0009SXAQSTL-E Silício N-Canal MOS FET ic-stocks

Características

• Alta Potência de Saída, Alto Ganho, Alta Eficiência Pout = +37,8 dBm, Ganho Linear = 18 dB, PAE = 65% (VDS = 6 V, f = 520 MHz)

• Pacote compacto com capacidade de montagem em superfície

• Teste de imunidade de descarga eletrostática (Padrão IEC, 61000-4-2, Nível 4)

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