Transistores Mosfet Diodes Incorporados DMP10H400SK3-13 Diodos Incorporados

• Autor:lulu.
• Fonte:www.ic-stocks.com.
• Lançamento em:2021-09-06

Especificações

Atributo do produto	Valor do atributo	Pesquisar semelhante
Fabricante:	Diodos incorporados
Categoria de Produto:	Mosfet.
ROHS:	Detalhes
Tecnologia:	Si
Estilo de montagem:	SMD / SMT.
Pacote / Caso:	Para-252-3.
Polaridade Transistor:	P-canal
Número de canais:	1 canal
VDS - tensão de decomposição de fonte de drenagem:	100 V.
ID - corrente contínua de drenagem:	9 A.
RDS on - Resistência à fonte de drenagem:	240 Mohms.
VGS - voltagem de fonte de portão:	- 20 V, + 20 V
VGS TH - Tensão limite de porta de porta:	1 V.
Qg - carga de portão:	17.5 NC.
Temperatura de operação mínima:	- 55 C.
Temperatura máxima de operação:	+ 150 C.
PD - dissipação de energia:	42 W.
Modo de canal:	Aprimoramento
Embalagem:	Cortar fita
Embalagem:	Mouseeel.
Embalagem:	Carretel
Configuração:	Solteiro
Series:	DMP10.
Tipo transistor:	1 canal p
Marca:	Diodos incorporados
Tempo de outono:	34.4 ns.
Tipo de Produto:	Mosfet.
Tempo de subida:	14.9 ns.
Quantidade do pacote de fábrica:	2500.
Subcategoria:	Mosfets.
Tempo típico de atraso de desligamento:	57,4 ns.
Tempo típico de atraso de ativação:	9.1 ns.
Unidade de peso:	0,011640 oz.

Lingcheng faz o seu sonho realidade.

Fornecedores IC na China
Fabricante de eletrônicos
China fornecedor de peças eletrônicas
Agente de capacitor eletrolítico
Agente de capacitor eletrolítico Aishi
Módulo HLK Hi-Link Fabricação Global Agente
www.ic-stocks.com.