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IRF3205STRLPBF MOSFET N 沟道 55V 110A D2PAK www.ic-stocks.com

  • 作者:叶雯瑜
  • 来源:www.ic-stocks.com
  • 发布时间::2026-05-22
先进工艺技术

超低导通电阻

动态 dv/dt 额定值

175°C 工作温度

快速切换

完全雪崩额定

无铅

描述

国际整流器公司的先进 HEXFET® 功率 MOSFET 采用先进的加工技术,实现单位硅面积极低的导通电阻。这一优势与 HEXFET 功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。

D2Pak 是一种表面贴装电源封装,能够容纳高达 HEX-4 的芯片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供最高的功率能力和最低的导通电阻。D2Pak 具有较低的内部连接电阻,因此适合高电流应用,并且在典型的表面贴装应用中可耗散高达 2.0W 的功率。通孔版本 (IRF3205L) 可用于薄型应用。

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