集成电路-LingCheng 电子元器件有限公司-电子元件分销商
技术: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
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RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压: | 110 mOhm @ 16A |
功率耗散(最大): | 282W (Tc) |
包: | TO-247AB |
工作温度: | 175C (TJ) |
安装类型: | Through Hole |
漏极至源极电压(Vdss): | 1700V |
: | 16A (Tc) (90C) |
Email: | XXX@yjseo.co |