IC-Stocks.com-LingCheng Electronic Components Ltd-Distributor elektronischer Bauteile
R6035KNZ1C9
Teilenummer:
R6035KNZ1C9
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Beschreibung:
NCH 600V 35A POWER MOSFET
Bestandsmenge:
0 pcs

Einführung

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Technische Daten

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:102 mOhm @ 18.1A, 10V
Verlustleistung (max):379W (Tc)
Paket:TO-247
Betriebstemperatur:-55C ~ 150C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:72nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
:10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
:35A (Tc)
Email:XXX@yjseo.co

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