MB85RS1MT es un chip FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrico) en una configuración de 131,072 palabras × 8 bits, que utiliza el proceso ferroeléctrico y las tecnologías de proceso CMOS de puerta de silicio para formar células de memoria volátil.

MB85RS1MT adopta la interfaz periférica en serie (SPI). El MB85RS1MT es capaz de retener datos sin usar una batería de respaldo, como es necesario para SRAM. Las celdas de memoria utilizadas en el MB85RS1MT pueden usarse para 1013 operaciones de lectura / escritura, que es Una mejora significativa sobre el número de operaciones de lectura y escritura admitidas por la memoria Flash y E2PROM.

MB85RS1MT no tarda mucho tiempo en escribir datos como memorias Flash o E2PROM, y MB85RS1MT no requiere tiempo de espera.

CARACTERISTICAS

• Configuración de bits: 131,072 palabras × 8 bits

• Interfaz periférica en serie: SPI (interfaz periférica en serie) correspondiente al modo SPI 0 (0, 0) y al modo 3 (1, 1)

• Frecuencia de operación: 1.8 V a 2.7 V, 25 MHz (Máx.) 2.7 V a 3.6 V, 30 MHz (Máx.) Para comando FSTRD 2.7 V a 3.6 V, 40 MHz (Máx.)

• Alta resistencia: 1013 veces / byte

• Retención de datos: 10 años (+85 ° C), 95 años (+ 55 ° C), más de 200 años (+ 35 ° C)

• Tensión de alimentación de funcionamiento: 1,8 V a 3,6 V

• Bajo consumo de energía: corriente de la fuente de alimentación de funcionamiento 9,5 mA (máx. A 30 MHz) corriente de espera 120 μA (máx.) Corriente de reposo 10 μA (máx.)

• Rango de temperatura ambiente de operación: -40 ° C a +85 ° C

• Paquete: plástico de 8 pines SOP (FPT-8P-M02) plástico de 8 pines WLP (WLP-8P-M01) Plástico de 8 pines DIP (DIP-8P-M03) Cumple con RoHS

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