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IPA057N06N3 G
IPA057N06N3 G
Número de pieza:
IPA057N06N3 G
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
Cantidad de stock:
0 pcs

Introducción

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Presupuesto

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 58A
Vgs (Max):20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
RDS (Max) @Id, Vgs:5.7 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo):38W (Tc)
Paquete:PG-TO220-3-31 Full Pack
Temperatura de funcionamiento:-55C ~ 175C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6600pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:82nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
:10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
:60A (Tc)
Email:XXX@yjseo.co

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