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IPD50N06S214ATMA1
IPD50N06S214ATMA1
Número de pieza:
IPD50N06S214ATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
Cantidad de stock:
0 pcs

Introducción

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Presupuesto

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 80A
Vgs (Max):20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
RDS (Max) @Id, Vgs:14.4 mOhm @ 32A, 10V
La disipación de energía (máximo):136W (Tc)
Paquete:PG-TO252-3
Temperatura de funcionamiento:-55C ~ 175C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1485pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:52nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
:10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
:50A (Tc)
Email:XXX@yjseo.co

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