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SI4451DY-T1-E3
Número de pieza:
SI4451DY-T1-E3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
Cantidad de stock:
0 pcs

Introducción

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Presupuesto

VGS (th) (Max) @Id:800mV @ 850A
Vgs (Max):8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
RDS (Max) @Id, Vgs:8.25 mOhm @ 14A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):1.5W (Ta)
Paquete:8-SO
Temperatura de funcionamiento:-55C ~ 150C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:120nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
:1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
:10A (Ta)
Email:XXX@yjseo.co

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