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IPD65R950C6ATMA1
IPD65R950C6ATMA1
Numéro d'article:
IPD65R950C6ATMA1
Fabricant:
Infineon Technologies
La description:
MOSFET N-CH TO252-3
Quantité en stock:
0 pcs

introduction

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Caractéristiques

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 200A
Vgs (Max):20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:950 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):37W (Tc)
Paquet:PG-TO252-3
Température de fonctionnement:-55C ~ 150C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:328pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:15.3nC @ 10V
type de FET:N-Channel
:10V
Tension drain-source (Vdss):650V
:4.5A (Tc)
Email:XXX@yjseo.co

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