IC-stocks.com - LingCheng ηλεκτρονικά εξαρτήματα Λτδ-διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων
Ελλάδα
English 한국의 русский Português Italia Français Deutsch 中文版 español Ελλάδα Nederland✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SQJ422EP-T1_GE3
SQJ422EP-T1_GE3
SQJ422EP-T1_GE3
Αριθμός εξαρτήματος:
SQJ422EP-T1_GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Ποσότητα αποθεμάτων:
0 pcs
Έρευνα

Εισαγωγή

Μπορούμε να προμήθεια μέρος # SQJ422EP-T1_GE3, χρήση το αίτημα απόσπασμα εντύπου αίτησης SQJ422EP-T1_GE3 pirce και μολύβδου χρόνο. Πηγή ηλεκτρονικά εξαρτήματα - www.ic-stocks.com είναι μια ανεξάρτητη κάλτσα διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων. Με στοιχεία γραμμής 3 + εκατομμυρίων διαθέσιμες ηλεκτρονικά εξαρτήματα μπορεί να αποστείλει εν ολίγοις χρονική ανοχή, πάνω από 300 χιλιάδες αριθμοί μέρος ηλεκτρονικών εξαρτημάτων σε απόθεμα για αμέσως η παράδοση, η οποία μπορεί να περιλαμβάνουν μέρος αριθμού SQJ422EP-T1_GE3. Η τιμή και μολύβδου χρόνο για SQJ422EP-T1_GE3 ανάλογα με την ποσότητα που απαιτείται, τη διαθεσιμότητα και την αποθήκη. Επικοινωνήστε μαζί μας σήμερα και μας αντιπρόσωπος πωλήσεων θα σας δώσει τιμές και παράδοση στο μέρος # SQJ422EP-T1_GE3. Ανυπομονούμε να κάνει επιχειρήσεις με σας.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250A
Vgs (Max):20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.4 mOhm @ 18A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):83W (Tc)
Πακέτο:PowerPAK? SO-8
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55C ~ 175C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:4660pF @ 20V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:100nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
:4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):40V
:74A (Tc)
Email:XXX@yjseo.co

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για SQJ422EP-T1_GE3

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
SQJ407EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 60A SO-8 Έρευνα
SQJ410EP-T1_GE3 Vishay Siliconix N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET Έρευνα
SQJ456EP-T1_GE3 Image SQJ456EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8 Έρευνα
SQJ412EP-T1_GE3 Image SQJ412EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8 Έρευνα
SQJ443EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAK SO8 Έρευνα
SQJ418EP-T1_GE3 Image SQJ418EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 48A SO8 Έρευνα
SQJ403BEEP-T1_GE3 Image SQJ403BEEP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 30A SO8 Έρευνα
SQJ416EP-T1_GE3 Image SQJ416EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 27A SO8 Έρευνα
SQJ411EP-T1_GE3 Image SQJ411EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 12V 60A SO8 Έρευνα
SQJ454EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 13A SO-8 Έρευνα
SQJ459EP-T1_GE3 Image SQJ459EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 52A SO8 Έρευνα
SQJ444EP-T1_GE3 Image SQJ444EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 60A SO8 Έρευνα
SQJ446EP-T1_GE3 Vishay Siliconix N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Έρευνα
SQJ423EP-T1_GE3 Image SQJ423EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 55A SO8 Έρευνα
SQJ409EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 60A SO-8 Έρευνα
SQJ457EP-T1_GE3 Image SQJ457EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 36A SO8 Έρευνα
SQJ433EP-T1_GE3 Vishay Siliconix P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET Έρευνα
SQJ402EP-T1_GE3 Image SQJ402EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L Έρευνα
SQJ431EP-T1_GE3 Image SQJ431EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CHAN 200V SO8L Έρευνα
SQJ403EP-T1_GE3 Vishay Siliconix P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET Έρευνα

Lastest News