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BC857BDW1T1G
BC857BDW1T1G
Numero di parte:
BC857BDW1T1G
fabbricante:
ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
Quantità stock:
0 pcs
Inchiesta

introduzione

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specificazioni

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):45V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:650mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor:2 PNP (Dual)
Potenza - Max:380mW
Pacchetto:SC-88/SC70-6/SOT-363
temperatura di esercizio:-55C ~ 150C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Frequenza - transizione:100MHz
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:220 @ 2mA, 5V
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:XXX@yjseo.co

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Parti relative per BC857BDW1T1G

Immagine Numero di parte Produttori Descrizione vista
BC857BLP-7B Image BC857BLP-7B Diodes Incorporated TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006-3 Inchiesta
BC857AW-7-F Image BC857AW-7-F Diodes Incorporated TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3 Inchiesta
BC857B-TP Image BC857B-TP Micro Commercial Co TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23 Inchiesta
BC857AW-G Image BC857AW-G Comchip Technology TRANS PNP 45V 100MA SOT323 Inchiesta
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BC857BL3E6327XTMA1 Image BC857BL3E6327XTMA1 Infineon Technologies TRANS PNP 45V 0.1A TSLP-3-1 Inchiesta
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BC857B Image BC857B STMicroelectronics TRANS PNP 45V 0.1A SOT23 Inchiesta
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BC857B RFG Taiwan Semiconductor Corporation TRANSISTOR, PNP, -45V, -0.1A, 22 Inchiesta
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BC857BLP4-7 Image BC857BLP4-7 Diodes Incorporated TRANS PNP 45V 0.1A 3-DFN Inchiesta
BC857BLT1 Image BC857BLT1 ON Semiconductor TRANS PNP 45V 0.1A SOT23 Inchiesta
BC857B/DG/B3,215 Nexperia USA Inc. TRANS GEN PURPOSE TO-236AB Inchiesta

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