이 P- 채널 MOSFET은 페어차일드 반도체의 고급 PowerTrench® 프로세스 특히 온 - 상태를 최소화하기 위해 맞춤화되었습니다. 저항. 이 소자는 전력 관리 및 노트북에서 흔히 볼 수있는 부하 스위칭 애플리케이션 컴퓨터 및 휴대용 배터리 팩.

풍모

• -8.8A, -30V. RDS (ON) = 20mΩ @ VGS = -10V RDS (ON) = 35mΩ @ VGS = - 4.5V

• 배터리 애플리케이션을위한 확장 된 VGSS 범위 (-25V)

• HBM ESD 보호 레벨은 일반적으로 ± 4.5kV (주 3)

극한의 고성능 트렌치 기술 낮은 RDS (ON)

• 고전력 및 전류 처리 기능

• 터미네이션은 무연이며 RoHS를 준수합니다.