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소개
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명세서
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (최대): | 20V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 10 Ohm @ 100mA, 5V |
| 전력 소비 (최대): | 360mW (Ta) |
| 꾸러미: | SOT-23-3 |
| 작동 온도: | -55C ~ 150C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 73pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 1.3nC @ 5V |
| FET 유형: | P-Channel |
| : | 5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 50V |
| : | 130mA (Ta) |
| Email: | XXX@yjseo.co |
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