•电源 -3.3V器件：2.7V〜3.6V

•组织 -存储单元阵列：（2,076M x 110.49K）x 8位 -数据寄存器：（8K + 436）x 8位

•自动编程和擦除 -页面程序：（8K + 436）Byte -块擦除：（1M + 54.5K）Byte

•页面读取操作 -页面大小：（8K + 436）Byte -随机读取：400μs（最大） -串行访问：30ns（最小）

•存储器单元：2bit /存储器单元

•快速的写入周期时间 -程序时间：1.2ms（Typ。） -块擦除时间：1.5ms（Typ。）

•命令/地址/数据多路复用I / O端口

•硬件数据保护 -电源转换期间的编程/擦除锁定

•可靠的CMOS浮栅技术 -ECC要求：24bit /（1K +54.5）Byte -耐力和数据保留：请参阅资格报告

•命令寄存器操作

•版权保护的唯一ID

•包装： -K9GAG08U0E-SCB0 / SIB0：铅卤素免费包装 48-TSOP1引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距） -K9LBG08U0E-SCB0 / SIB0：铅卤素免费包装 48-TSOP1引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距） -K9HCG08U1E-SCB0 / SIB0：铅卤素免费包装 48-TSOP1引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）

1.3概述 该器件采用3.3V Vcc供电。其NAND单元为固态海量存储市场提供了最具成本效益的解决方案。程序操作 可以在8,628字节的页面上以典型的1.2ms执行，而擦除操作可以在（1M + 54.5K）字节的块上以典型的1.5ms执行。数据输入 数据寄存器可以在每个字节30ns的循环时间内被读出。

I / O引脚用作地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。 片上写控制器可自动执行所有编程和擦除功能，包括在需要时进行脉冲重复以及内部验证和余量调整 数据的。

即使是写密集型系统，也可以通过为ECC（纠错码）提供实时映射输出算法来利用K9GAG08U0E在P / E周期中扩展的可靠性，这在资格报告中得到了体现。

K9GAG08U0E是大型非易失性存储应用（例如固态文件存储和其他需要非易失性的便携式应用）的最佳解决方案。

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