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GA10JT12-263
GA10JT12-263
Número de pieza:
GA10JT12-263
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
TRANS SJT 1200V 25A
Cantidad de stock:
0 pcs

Introducción

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Presupuesto

Tecnología:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
RDS (Max) @Id, Vgs:120 mOhm @ 10A
La disipación de energía (máximo):170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:175C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1403pF @ 800V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1200V
:25A (Tc)
Email:XXX@yjseo.co

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