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TPH3206LDGB
TPH3206LDGB
Numéro d'article:
TPH3206LDGB
Fabricant:
Transphorm
La description:
GAN FET 650V 16A PQFN88
Quantité en stock:
0 pcs
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introduction

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Caractéristiques

Vgs (th) (Max) @ Id:2.6V @ 500A
Vgs (Max):18V
La technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 11A, 8V
Dissipation de puissance (max):81W (Tc)
Paquet:PQFN (8x8)
Température de fonctionnement:-55C ~ 150C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 480V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:9.3nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
:8V
Tension drain-source (Vdss):650V
:16A (Tc)
Email:XXX@yjseo.co

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