IC-stocks.com - LingCheng ηλεκτρονικά εξαρτήματα Λτδ-διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων
Ελλάδα
English 한국의 русский Português Italia Français Deutsch 中文版 español Ελλάδα Nederland✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > TPH3206LDGB
TPH3206LDGB
TPH3206LDGB
Αριθμός εξαρτήματος:
TPH3206LDGB
Κατασκευαστής:
Transphorm
Περιγραφή:
GAN FET 650V 16A PQFN88
Ποσότητα αποθεμάτων:
0 pcs
Έρευνα

Εισαγωγή

Μπορούμε να προμήθεια μέρος # TPH3206LDGB, χρήση το αίτημα απόσπασμα εντύπου αίτησης TPH3206LDGB pirce και μολύβδου χρόνο. Πηγή ηλεκτρονικά εξαρτήματα - www.ic-stocks.com είναι μια ανεξάρτητη κάλτσα διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων. Με στοιχεία γραμμής 3 + εκατομμυρίων διαθέσιμες ηλεκτρονικά εξαρτήματα μπορεί να αποστείλει εν ολίγοις χρονική ανοχή, πάνω από 300 χιλιάδες αριθμοί μέρος ηλεκτρονικών εξαρτημάτων σε απόθεμα για αμέσως η παράδοση, η οποία μπορεί να περιλαμβάνουν μέρος αριθμού TPH3206LDGB. Η τιμή και μολύβδου χρόνο για TPH3206LDGB ανάλογα με την ποσότητα που απαιτείται, τη διαθεσιμότητα και την αποθήκη. Επικοινωνήστε μαζί μας σήμερα και μας αντιπρόσωπος πωλήσεων θα σας δώσει τιμές και παράδοση στο μέρος # TPH3206LDGB. Ανυπομονούμε να κάνει επιχειρήσεις με σας.

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Vgs (th) (Max) @ Id:2.6V @ 500A
Vgs (Max):18V
Τεχνολογία:GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 11A, 8V
Έκλυση ενέργειας (Max):81W (Tc)
Πακέτο:PQFN (8x8)
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55C ~ 150C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 480V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:9.3nC @ 4.5V
FET Τύπος:N-Channel
:8V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):650V
:16A (Tc)
Email:XXX@yjseo.co

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για TPH3206LDGB

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
TPH3205WSBQA Transphorm GAN FET 650V 35A TO247 Έρευνα
TPH3206PS Image TPH3206PS Transphorm GAN FET 600V 17A TO220 Έρευνα
TPH3208LDG Image TPH3208LDG Transphorm GAN FET 650V 20A PQFN88 Έρευνα
TPH3207WS Image TPH3207WS Transphorm GAN FET 650V 50A TO247 Έρευνα
TPH3205WSB Image TPH3205WSB Transphorm GAN FET 650V 36A TO247 Έρευνα
TPH3208LS Image TPH3208LS Transphorm GAN FET 650V 20A PQFN88 Έρευνα
TPH3206PD Image TPH3206PD Transphorm GAN FET 600V 17A TO220 Έρευνα
TPH3208LD Image TPH3208LD Transphorm GAN FET 650V 20A PQFN88 Έρευνα
TPH2R608NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 75V 150A SOP8 Έρευνα
TPH3202PD Image TPH3202PD Transphorm GAN FET 600V 9A TO220 Έρευνα
TPH3206LDB Image TPH3206LDB Transphorm MOSFET N-CH GANFET 650V 16A PQFN Έρευνα
TPH3206LXB Transphorm 650V, 150M Έρευνα
TPH3202LS Image TPH3202LS Transphorm GAN FET 600V 9A PQFN88 Έρευνα
TPH3206LD Image TPH3206LD Transphorm GAN FET 600V 17A PQFN88 Έρευνα
TPH3202LD Image TPH3202LD Transphorm GAN FET 600V 9A PQFN88 Έρευνα
TPH3202PS Image TPH3202PS Transphorm GAN FET 600V 9A TO220 Έρευνα
TPH2R506PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Έρευνα
TPH3206PSB Image TPH3206PSB Transphorm MOSFET N-CH GANFET 650V TO220AB Έρευνα
TPH3206LS Image TPH3206LS Transphorm GAN FET 600V 17A PQFN88 Έρευνα
TPH3206LSB Image TPH3206LSB Transphorm MOSFET N-CH GANFET 650V 16A PQFN Έρευνα

Lastest News