Одиночное питание 2,3 В - 3,6 В или 2,5 В - 3,6 В

Совместимость с последовательным периферийным интерфейсом (SPI)

Поддерживает режимы SPI 0 и 3

Поддерживает работу RapidS ™

Возможность непрерывного чтения через весь массив

До 85 МГц

Опция чтения с низким энергопотреблением до 15 МГц

Время на выходе (тв) не более 6 нс

Настраиваемый пользователем размер страницы

512 байт на страницу

528 байт на страницу (по умолчанию) 

Размер страницы может быть предварительно настроен на заводе для 512 байт

Два полностью независимых буфера данных SRAM (512/528 байт) 

Позволяет получать данные при перепрограммировании массива основной памяти

Гибкие возможности программирования

Программа байтов / страниц (от 1 до 512/528 байт) непосредственно в основную память

Буферная запись

Программа для буфера на главной странице памяти

Гибкие возможности стирания

Удаление страницы (512/528 байт) 

Стереть блок (4KB) 

Сектор стирания (128 КБ) 

Стирание чипа (16-Мбит) 

Запрограммировать и стереть Suspend / Resume

Расширенные функции аппаратной и программной защиты данных

Защита индивидуального сектора

Блокировка отдельного сектора, чтобы сделать любой сектор постоянно доступным только для чтения

128-байтовый одноразовый программируемый (OTP) регистр безопасности

64-байтовая фабрика, запрограммированная с уникальным идентификатором

64 байта программируемые пользователем

Аппаратно-программные опции управляемого сброса

JEDEC Standard Производитель и идентификатор устройства Читать

Рассеиваемая мощность

400 нА Ультра-глубокий ток при выключении питания (типичный) 

3 мкА Глубокий понижающий ток (обычно))

Ток в режиме ожидания 25 мкА (типично при 20 МГц) 

Активный ток считывания 11 мА (типичный) 

Выносливость: 100 000 циклов программы / стирания на странице минимум

Хранение данных: 20 лет

Соответствует всему промышленному температурному диапазону

Зеленые (Pb / Безгалогенные / RoHS) варианты упаковки Ro

SOIC с 8 выводами (ширина 0,150 дюйма и ширина 0,208 дюйма) 

8-контактный ультратонкий DFN (5 х 6 х 0,6 мм) 

Ультратонкий UBGA с 9 шариками (6 х 6 х 0,6 мм)

Описание

Adesto® AT45DB161E - это флэш-память с последовательным интерфейсом с минимальным напряжением не менее 2,3 В или 2,5 В, идеально подходящая для широкого спектра приложений цифровой передачи голоса, изображений, программного кода и хранения данных.

AT45DB161E также поддерживает последовательный интерфейс RapidS для приложений, требующих очень высокой скорости работы. Его 17015004 бит памяти организованы как 4096 страниц по 512 байт или 528 байт каждая.

Помимо основной памяти, AT45DB161E также содержит два буфера SRAM по 512/528 байт каждый. Буферы позволяют получать данные во время перепрограммирования страницы в основной памяти.

Чередование между обоими буферами может значительно увеличить способность системы записывать непрерывный поток данных. Кроме того, буферы SRAM могут использоваться в качестве дополнительной памяти системной блокнота, а эмуляция E2PROM (возможность изменения битов или байтов) может быть легко обработана с помощью автономной трехэтапной операции чтения-изменения-записи.

В отличие от обычной флэш-памяти, доступ к которой осуществляется случайным образом с несколькими адресными строками и параллельным интерфейсом, Adesto DataFlash® использует последовательный интерфейс для последовательного доступа к своим данным.

Простой последовательный доступ значительно сокращает количество активных выводов, упрощает компоновку аппаратного обеспечения, повышает надежность системы, минимизирует шум переключения и уменьшает размер пакета.

Устройство оптимизировано для использования во многих коммерческих и промышленных приложениях, где важны высокая плотность, низкое число выводов, низкое напряжение и низкое энергопотребление. Для обеспечения простой перепрограммируемости в системе AT45DB161E не требует высокого входа Напряжения для программирования.

Устройство работает от одного источника питания напряжением от 2,3 В до 3,6 В или от 2,5 В до 3,6 В для операций стирания и считывания программы. AT45DB161E активируется через вывод выбора микросхемы (CS) и доступен через 3-проводной интерфейс, состоящий из последовательного входа (SI), последовательного выхода (SO) и последовательного тактового сигнала (SCK). Все циклы программирования и стирания выполняются самостоятельно приуроченная.

Новый и Оригинал на складе, добро пожаловать на отправку запроса к нам!