Caracteristicas
● Nivel lógico
● Tecnología avanzada de procesos
● Resistencia a la luz ultra baja
● 175 ° C Temperatura de funcionamiento
● Cambio rápido
● Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
● Sin plomo, compatible con RoHS
● Cualificado para automóviles *
Descripción
Diseñado específicamente para aplicaciones automotrices,
este HEXFET® Power MOSFET utiliza lo último
Técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja en la resistencia por área de silicio. Características adicionales de este
El diseño es una temperatura de funcionamiento de la unión de 175 ° C,
Velocidad de conmutación rápida y calificación de disponibilidad repetitiva mejorada. Estas características se combinan para hacer esto
diseñar un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para
uso en aplicaciones automotrices y una amplia variedad de
otras aplicaciones.

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