Caractéristiques
● Niveau logique
● Technologie de processus avancée
● Résistance ultra faible
● Température de fonctionnement 175 ° C
● Commutation rapide
● Avalanche répétitive autorisée jusqu'à Tjmax
● Sans plomb, conforme à RoHS
● Qualifié automobile *
La description
Spécialement conçu pour les applications automobiles,
Ce MOSFET HEXFET® Power utilise les dernières technologies
techniques de traitement permettant d’obtenir une résistance extrêmement faible par surface de silicium. Caractéristiques supplémentaires de cette
la conception est une température de fonctionnement de jonction de 175 ° C,
vitesse de commutation rapide et amélioration du classement ava? lanche répétitif. Ces caractéristiques se combinent pour rendre cela
concevoir un dispositif extrêmement efficace et fiable pour
utiliser dans les applications automobiles et une grande variété de
autres applications.

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