Le W971GG6KB est une mémoire SDRAM DDR2 de 1 G bits, organisée en 8 388 608 mots, 8 banques et 16 bits. Ce périphérique permet d’atteindre des vitesses de transfert élevées jusqu’à 1 066 Mo / s / broche (DDR2-1066) pour diverses applications.

W971GG6KB est classé dans les catégories de qualité suivantes: -18, -25, 25I et -3. Les pièces de classe -18 sont conformes à la spécification DDR2-1066 (7-7-7). Les pièces de grade -25 et 25I sont conformes à la spécification DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (6-6-6) (le grade industriel 25I garanti à supporter -40 ° C ≤ TCASE ≤ 95 ° C)

Les composants de qualité -3 sont conformes à la spécification DDR2-667 (5-5-5). Toutes les entrées de commande et d'adresse sont synchronisées avec une paire d'horloges différentielles fournies de manière externe.

Les entrées sont verrouillées au point de croisement des horloges différentielles (montée et descente de CLK). Toutes les entrées / sorties sont synchronisées avec un DQS à une extrémité ou un DQS-DQSpair différentiel de manière synchrone.

2. CARACTÉRISTIQUES

Alimentation: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V

Architecture à double débit de données: deux transferts de données par cycle d'horloge

Latence du CAS: 3, 4, 5, 6 et 7

Burst Longueur: 4 et 8

Des strobes de données différentielles bidirectionnelles (DQS et DQS) sont transmises / reçues avec des données

Alignement des bords avec les données de lecture et du centre avec les données d'écriture

DLL aligne les transitions DQ et DQS avec clock

Entrées d'horloge différentielle (CLK et CLK)

Masques de données (DM) pour l'écriture de données

Les commandes entrées sur chaque front positif CLK, les données et le masque de données sont référencées aux deux fronts de DQS

PostéCASprogrammable latence additive pris en charge pour améliorer l'efficacité des commandes et des bus de données

Latence de lecture = latence additive plus latence CAS (RL = AL + CL)

Réglage de l'impédance hors circuit (OCD) et terminaison sur matrice (ODT) pour une meilleure qualité de signal

Opération de précharge automatique pour les rafales de lecture et d'écriture

Modes Auto Refresh et Self Refresh

Mise hors tension préchargée et mise hors tension active

Écrire un masque de données

Latence d'écriture = Latence de lecture - 1 (WL = RL - 1)

Interface: SSTL_18

Emballé en WBGA 84 Ball (8X12,5 mm2), en utilisant des matériaux sans plomb avec RoHS conforme

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