Transistor Mosfet diodi incorporati DMP10H400SK3-13 diodi incorporati

• Autore:lulu.
• fonte:www.ic-stocks.com.
• Rilascio:2021-09-06

Specifiche

Attributo del prodotto	Valore attributo	Cerca simile.
Produttore:	Diodi incorporati
Categoria di prodotto:	Mosfet.
Rohs:	Particolari
Tecnologia:	Si.
Stile di montaggio:	SMD / SMT.
Pacchetto / custodia:	A-252-3.
Polarità del transistor:	P-CANALE.
Numero di canali:	1 canale
VDS - Tensione di rottura della sorgente di scarico:	100 V.
ID - Corrente di scarico continuo:	9 A.
RDS on - Resistenza alla fonte di scarico:	240 MOHMS.
VGS - Tensione di gate-source:	- 20 V, + 20 V
VGS TH - GATE-SOURCE THRESHOLD TOLTAGE:	1 V.
QG - Carica del gate:	17.5 NC.
Temperatura minima di esercizio:	- 55 C.
Temperatura massima di esercizio:	+ 150 C.
PD - Dissipazione di potenza:	42 W.
Modalità canale:	Aumento
Confezione:	Tagliare il nastro
Confezione:	MOUSEREEL.
Confezione:	Bobina
Configurazione:	Separare
Serie:	DMP10.
Tipo di transistor:	1 canale P
Marca:	Diodi incorporati
Tempo di caduta:	34.4 NS.
Tipologia di prodotto:	Mosfet.
Ora di alzarsi:	14.9 ns.
Quantità del pacchetto di fabbrica:	2500.
Sottocategoria:	Mosfets.
Tempo di ritardo tipico di disattivazione:	57.4 NS.
Tempo di ritardo tipico del turn-on:	9.1 NS.
Unità di peso:	0,011640 oz.

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