Diese N-Kanal-Anreicherungs-Leistungsfeldeffekttransistoren werden unter Verwendung der proprietären Planar-Stripe-DMOS-Technologie von Fairchild hergestellt.

Diese fortschrittliche Technologie wurde speziell für die Minimierung des Durchlasswiderstands entwickelt, bietet eine hervorragende Schaltleistung und hält hohen Energieimpulsen im Lawinen- und Kommutierungsmodus stand.

Diese Geräte eignen sich für Niederspannungsanwendungen wie Audioverstärker, DC / DC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad und DC-Motorsteuerung.

Eigenschaften

• 57A, 100V, RDS (ein) = 0,023Ω @VGS = 10 V

• Niedrige Gate-Ladung (typisch 85 nC)

• Niedrige Crs (typisch 150 pF)

• Schnelles Umschalten

• 100% Lawinen getestet

• Verbesserte dv / dt-Fähigkeit

• Maximale Sperrschichttemperatur von 175 ° C

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